SPECIFICATION. Not recommend for new design. MS6M / 16. Power Integrated Module 7MBR10UF120 MS6M Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.

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1 SPECIFICATION Device Nme : Type Nme : Power Integrted Module 7MBRUF12 This mteril nd the informtion herein is the property of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. They shll be neither reproduced, copied,lent, or disclosed in ny wy whtsoever for the use of ny third prty nor used for the mnufcturing purposes without the express written consent of Spec. No. : MS6M792 D A T E D R A W N Sep.-3-' 4 CHECKED Sep.-3-' 4 CHECKED N A M E K. Komtsu O. Ikw K. Ymd A P P R O V E D Y. Seki MS6M792 1/ 16 H4-4-7b

2 Revised Records Dte Clssifiction Ind. Content Applied dte Drwn Checked Checked Approved Enctment Issued Sep.-3-' 4 O. Ikw K. Ymd Y. Seki dte Revised Rth(j-c) (P6/13) My.-31-' Revise Revised Rth(j-c) curve Jun.-3-' K. Komtsu O. Ikw K. Ymd Y. Seki (P13/16) This mteril nd the informtion herein is the property of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. They shll be neither reproduced, copied,lent, or disclosed in ny wy whtsoever for the use of ny third prty nor used for the mnufcturing purposes without the express written consent of MS6M792 2/16 H4-4-3 H4-4-6b

3 7MBRUF12 Specifiction 1. Outline Drwing ( Unit : mm ) This mteril nd the informtion herein is the property of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. They shll be neither reproduced, copied,lent, or disclosed in ny wy whtsoever for the use of ny third prty nor used for the mnufcturing purposes without the express written consent of 2. Equivlent circuit Module only designed for mounting on PCB with 1.7±.3mm thickness MS6M792 3/16 H4-4-3

4 3. Pin positions with tolernce ( Unit : mm ) This mteril nd the informtion herein is the property of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. They shll be neither reproduced, copied,lent, or disclosed in ny wy whtsoever for the use of ny third prty nor used for the mnufcturing purposes without the express written consent of 4. Drilling lyout for PCB Plese refer to mounting instructions (Technicl Rep. No. : MTF14628) when you mount this pruduct. MS6M792 4/16 H4-4-3

5 This mteril nd the informtion herein is the property of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. They shll be neither reproduced, copied,lent, or disclosed in ny wy whtsoever for the use of ny third prty nor used for the mnufcturing purposes without the express written consent of. Absolute Mximum Rtings ( t Tc= 2 o C unless otherwise specified) Inverter Converter Brke Items Symbols Conditions Mximum Rtings Units Collector-Emitter voltge VCES 12 V Gte-Emitter voltge VGES ±2 V Ic Continuous Tc=8 o C A Tc=2 o C 13 Collector current Icp 1ms Tc=8 o C 2 A Tc=2 o C 26 -Ic Continuous Tc=8 o C A Collector Power Dissiption Pc 1 device 69 W Collector-Emitter voltge VCES 12 V Gte-Emitter voltge VGES ±2 V Ic Continuous Tc=8 o C A Tc=2 o C 13 Collector current Icp 1ms Tc=8 o C 2 A Tc=2 o C 26 Collector Power Dissiption Pc 1 device 69 W Averge Output Current Io Hz/6Hz sine wve A Surge Current (Non-Repetitive) IFSM Tj=1 o C,ms A I 2 t (Non-Repetitive) I 2 t hlf sine wve A 2 s Junction temperture Tj 1 o C Storge temperture Tstg -4~ +12 o C Isoltion between terminl nd bseplte (*1) Viso AC : 1min. 2 V voltge between thermistor nd others (*2) 2 V Mounting Screw Torque M4 1.3~1.7 N.m (*1) All terminls should be connected together when isoltion test will be done. (*2) Terminl T1 nd T2 should be connected together. And nother terminls should be connected together nd shorted to bseplte. MS6M792 /16 H4-4-3

6 This mteril nd the informtion herein is the property of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. They shll be neither reproduced, copied,lent, or disclosed in ny wy whtsoever for the use of ny third prty nor used for the mnufcturing purposes without the express written consent of 6. Electricl chrcteristics ( t Tj= 2 o C unless otherwise specified) Chrcteristics Items Symbols Conditions min. typ. Mx. Units Zero gte voltge Collector current ICES VGE = V, VCE =12 V ma Inverter Thermistor Converter Brke Gte-Emitter lekge current IGES VCE = V, VGE = ±2 V na Gte-Emitter VGE(th) VCE = 2 V, Ic = ma V threshold voltge Collector-Emitter VCE(st) VGE = 1 V, chip V sturtion voltge Ic = A terminl Input cpcitnce Cies VGE = V, VCE = V pf f = 1 MHz Turn-on time ton Vcc= 6 V tr Ic = A tr (i) VGE = ±1 V s Turn-off time toff RG = tf Forwrd on voltge VF IF = A chip V terminl Reverse recovery time trr IF = A ns Zero gte voltge Collector current ICES VGE = V, VCE =12 V ma Gte-Emitter lekge current IGES VCE = V, VGE = ±2 V na Gte-Emitter threshold voltge VGE(th) VCE = 2 V, Ic = ma V Collector-Emitter VCE(st) VGE = 1 V, chip V sturtion voltge Ic = A terminl Input cpcitnce Cies VGE = V, VCE = V pf f = 1 MHz Turn-on time ton Vcc= 6 V tr Ic = A s Turn-off time toff VGE = ±1 V tf RG = Reverse recovery time trr IF = A ns Reverse current IRRM VR = 12 V ma Forwrd on voltge VFM IF = A chip V terminl Reverse current IRRM VR = 16 V ma Resistnce R T = 2 o C 47 2 W T = o C B vlue B T = 2/ o C K 7. Therml resistnce chrcteristics Chrcteristics Items Symbols Conditions min. typ. Mx. Units Inverter IGBT Therml resistnce Inverter FWD (1 device) Rth(j-c) Brke IGBT o C/W Brke diode Converter Diode Contct Therml resistnce Rth(c-f) with Therml Compound (*) -. - o C/W * This is the vlue which is defined mounting on the dditionl cooling fin with therml compound. MS6M792 6/16 H4-4-3

7 8. Indiction on module Seril No. 7MBRUF12 A 12V U. K. Lot. No. 9. Applicble ctegory This specifiction is pplied to Power Integrted Module nmed 7MBRUF12.. Storge nd trnsporttion notes The module should be stored t stndrd temperture of to 3 o C nd humidity of 4 to 7%. This mteril nd the informtion herein is the property of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. They shll be neither reproduced, copied,lent, or disclosed in ny wy whtsoever for the use of ny third prty nor used for the mnufcturing purposes without the express written consent of Store modules in plce with few temperture chnges in order to void condenstion on the module surfce. Avoid exposure to corrosive gses nd dust. Avoid excessive externl force on the module. Store modules with unprocessed terminls. Do not drop or otherwise shock the modules when trnsporting. 11. Definitions of switching time RG VGE VCE Ic L Vcc V V A VGE VCE Ic % 9% tr ton trr tr(i) I rr ~ ~ Ic 9% 9% % VCE % ~ toff tf V 12. Pcking nd Lbeling Disply on the pcking box Logo of production Type nme Lot. No. Products quntitiy in pcking box MS6M792 7/16 H4-4-3

8 Relibility Test Items This mteril nd the informtion herein is the property of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. They shll be neither reproduced, copied,lent, or disclosed in ny wy whtsoever for the use of ny third prty nor used for the mnufcturing purposes without the express written consent of Mechnicl Tests Environment Tests Test items Test methods nd conditions Reference norms EIAJ ED-471 (Aug.-21 edition) Test ctegories Acceptnce Number of smple number 1 Terminl Strength Pull force : N Test Method 41 ( : 1 ) (Pull test) Test time : ±1 sec. MethodⅠ 2 Mounting Strength Screw torque : 1.3 ~ 1.7 N m (M4) Test Method 42 ( : 1 ) Test time : ±1 sec. methodⅡ 3 Vibrtion Rnge of frequency :.1 ~ Hz Test Method 43 ( : 1 ) Sweeping time : 1 min. Reference 1 Accelertion : m/s 2 Condition code B Sweeping direction : Ech X,Y,Z xis Test time : 3 hr. (1hr./direction) 4 Shock Mximum ccelertion : 98m/s 2 Test Method 44 ( : 1 ) Pulse width :.msec. Condition code D Direction : Ech X,Y,Z xis Test time : 3 times/direction 1 High Temperture Storge temp. : 12± Test Method 21 ( : 1 ) Storge Test durtion : hr. 2 Low Temperture Storge temp. : -4± Test Method 22 ( : 1 ) Storge Test durtion : hr. 3 Temperture Storge temp. : 8±2 Test Method 3 ( : 1 ) Humidity Reltive humidity : 8±% Test code C Storge Test durtion : hr. 4 Temperture Test Method ( : 1 ) Cycle Test temp. : Low temp. -4± High temp. 12 ± RT ~ 3 Dwell time : High ~ RT ~ Low ~ RT 1hr..hr. 1hr..hr. Number of cycles : cycles Therml Shock + Test Method 37 ( : 1 ) Test temp. : High temp. - method Ⅰ Low temp. - Used liquid : Wter with ice nd boiling wter Dipping time : min. pr ech temp. Trnsfer time : sec. Number of cycles : cycles + Condition code A MS6M792 8/16 H4-4-3

9 Relibility Test Items This mteril nd the informtion herein is the property of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. They shll be neither reproduced, copied,lent, or disclosed in ny wy whtsoever for the use of ny third prty nor used for the mnufcturing purposes without the express written consent of Endurnce Tests Test items Test methods nd conditions Filure Criteri Item Chrcteristic Symbol Filure criteri Unit Note Lower limit Upper limit Electricl Lekge current ICES - USL 2 ma chrcteristic ±IGES - USL 2 A Gte threshold voltge VGE(th) LSL.8 USL 1.2 ma Sturtion voltge VCE(st) - USL 1.2 V Forwrd voltge VF - USL 1.2 V Therml IGBT VGE - USL 1.2 mv resistnce or VCE FWD VF - USL 1.2 mv Isoltion voltge Viso Broken insultion - Visul Visul inspection inspection Peeling - The visul smple - Plting nd the others Reference norms EIAJ ED-471 (Aug.-21 edition) LSL : Lower specified limit. USL : Upper specified limit. Test ctegories Acceptnce Number of smple number 1 High temperture Test Method 1 ( : 1 ) Reverse Bis Test temp. : T = 12± (Tj 1 ) Bis Voltge : VC =.8 VCES Bis Method : Applied DC voltge to C-E VGE = V Test durtion : hr. 2 High temperture Test Method 1 ( : 1 ) Bis (for gte) Test temp. : T = 12± (Tj 1 ) Bis Voltge : VC = VGE = +2V or -2V Bis Method : Applied DC voltge to G-E VCE = V Test durtion : hr. 3 Intermitted ON time : 2 sec. Test Method 6 P<1% Operting Life OFF time : 18 sec. (Power cycle) Test temp. : Tj=± deg ( for IGBT ) Tj 1, T=2± Number of cycles : 8 cycles Note : Ech prmeter mesurement red-outs shll be mde fter stbilizing the components t room mbient for 2 hours minimum, 24 hours mximum fter removl from the tests. And in cse of the wetting tests, for exmple, moisture resistnce tests, ech component shll be mde wipe or dry completely before the mesurement. MS6M792 9/16 H4-4-3

10 Relibility Test Results Test ctegories Test items Reference norms EIAJ ED-471 (Aug.-21 edition) Number of test smple Number of filure smple This mteril nd the informtion herein is the property of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. They shll be neither reproduced, copied,lent, or disclosed in ny wy whtsoever for the use of ny third prty nor used for the mnufcturing purposes without the express written consent of Mechnicl Tests Environment Tests Endurnce Tests 1 Terminl Strength Test Method 41 (Pull test) MethodⅠ 2 Mounting Strength Test Method 42 methodⅡ 3 Vibrtion Test Method 43 Condition code B 4 Shock Test Method 44 Condition code B 1 High Temperture Storge Test Method 21 2 Low Temperture Storge Test Method 22 3 Temperture Humidity Test Method 3 Storge Test code C 4 Temperture Cycle Test Method Therml Shock Test Method 37 method Ⅰ Condition code A 1 High temperture Reverse Bis Test Method 1 2 High temperture Bis Test Method 1 ( for gte ) 3 Intermitted Operting Life Test Method 6 (Power cycling) ( for IGBT ) MS6M792 /16 H4-4-3

11 Collector current vs. Collector-Emitter voltge Tj= 2 o C (typ.) / chip Collector current vs. Collector-Emitter voltge Tj= 12 o C (typ.) / chip VGE=2V 1V 12V V 1 VGE=2V 1V 12V V 8V 8V Collector - Emitter voltge : VCE [ V ] Collector - Emitter voltge : VCE [ V ] This mteril nd the informtion herein is the property of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. They shll be neither reproduced, copied,lent, or disclosed in ny wy whtsoever for the use of ny third prty nor used for the mnufcturing purposes without the express written consent of 2 1 Collector current vs. Collector-Emitter voltge VGE=1V (typ.) / chip Tj=2 o C Tj=12 o C Collector - Emitter voltge : VCE [ V ] Cpcitnce vs. Collector-Emitter voltge (typ.) Collector - Emitter voltge : VCE [ V ] Collector-Emitter voltge vs. Gte-Emitter voltge Tj= 2 o C (typ.) / chip Gte - Emitter voltge : VGE [ V ] Dynmic Gte chrge (typ.) VGE=V, f= 1MHz, Tj= 2 o C Vcc=6V, Ic=A, Tj= 2 o C Ic=14A 7A 3.A 2 Cpcitnce : Cies, Coes, Cres [ pf ] Cies Coes Cres Collector - Emitter voltge : VCE [ V ] Gte - Emitter voltge : VGE [ V ] Collector - Emitter voltge : VCE [ V ] Gte chrge : Qg [ nc ] MS6M792 11/16 H4-4-3

12 Switching time vs. Collector current (typ.) Vcc=6V, VGE=+-1V, Rg=, Tj= 2 o C Switching time vs. Collector current (typ.) Vcc=6V, VGE=+-1V, Rg=, Tj= 12 o C Switching time : ton, tr, toff, tf [ nsec ] ton toff tr tf Switching time : ton, tr, toff, tf [ nsec ] toff ton tr tf This mteril nd the informtion herein is the property of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. They shll be neither reproduced, copied,lent, or disclosed in ny wy whtsoever for the use of ny third prty nor used for the mnufcturing purposes without the express written consent of Switching time : ton, tr, toff, tf [ nsec ] Switching time vs. Gte resistnce (typ.) Vcc=6V, Ic=A, VGE=+-1V, Tj= 2 o C Gte resistnce : Rg [ ] Switching loss vs. Gte resistnce (typ.) Vcc=6V, Ic=A, VGE=+-1V, Tj= 12 o C ton tr toff tf Switching loss : Eon, Eoff, Err [ mj / pulse ] Switching loss vs. Collector current (typ.) Vcc=6V, VGE=+-1V, Rg= Eon 12 Eon 2 Eoff 12 Eoff 2 Err 12 Err 2 Reverse bis sfe operting re (mx) +VGE=1V, -VGE<=1V, Rg=>, Tj<=12 o C Switching loss : Eon, Eoff, Err [ mj / pulse ] Eon Eoff 3 2 Err Gte resistnce : Rg [ ] Collector - Emitter voltge : VCE [ V ] MS6M792 12/16 H4-4-3

13 Forwrd current vs. Forwrd on voltge (typ.) / chip Reverse recovery chrcteristics (typ.) Vcc=6V, VGE=+-1V, Rg= 2 Forwrd current : IF [ A ] 2 1 Tj=12 o C Tj=2 o C Reverse recovery current : Irr [ A ] Reverse recovery time : trr [ nsec ] trr 12 trr 2 Irr 12 Irr Forwrd on voltge : VF [ V ] 1 Forwrd current : IF [ A ] This mteril nd the informtion herein is the property of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. They shll be neither reproduced, copied,lent, or disclosed in ny wy whtsoever for the use of ny third prty nor used for the mnufcturing purposes without the express written consent of Forwrd current : IF [ A ] [ Converter ] Forwrd current vs. Forwrd on voltge (typ.) / chip Tj=2 o C Forwrd on voltge : VFM [ V ] Tj=12 o C Trnsient therml resistnce (mx.) [ Thermistor ] Temperture chrcteristic (typ.) Therml resistnse : Rth(j-c) [ o C / W ] 1 FWD [inverter,brke] IGBT [inverter,brke] CONV.Diode Resistnce : R [ ] Pulse width : Pw [ sec ] Temperture [ o C ] MS6M792 13/16 H4-4-3

14 [ Brke ] Collector current vs. Collector-Emitter voltge Tj= 2 o C (typ.) / chip [ Brke ] Collector current vs. Collector-Emitter voltge Tj= 12 o C (typ.) / chip VGE=2V 1V 12V V 1 VGE=2V 1V 12V V 8V 8V Collector - Emitter voltge : VCE [ V ] Collector - Emitter voltge : VCE [ V ] This mteril nd the informtion herein is the property of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. They shll be neither reproduced, copied,lent, or disclosed in ny wy whtsoever for the use of ny third prty nor used for the mnufcturing purposes without the express written consent of 2 1 [ Brke ] Collector current vs. Collector-Emitter voltge VGE=1V (typ.) / chip Tj=2 o C Tj=12 o C Collector - Emitter voltge : VCE [ V ] [ Brke ] Cpcitnce vs. Collector-Emitter voltge (typ.) Collector - Emitter voltge : VCE [ V ] [ Brke ] Collector-Emitter voltge vs. Gte-Emitter voltge Tj= 2 o C (typ.) / chip Gte - Emitter voltge : VGE [ V ] [ Brke ] Dynmic Gte chrge (typ.) VGE=V, f= 1MHz, Tj= 2 o C Vcc=6V, Ic=A, Tj= 2 o C Ic=14A 7A 3.A 2 Cpcitnce : Cies, Coes, Cres [ pf ] Cies Coes Cres Collector - Emitter voltge : VCE [ V ] Gte - Emitter voltge : VGE [ V ] Collector - Emitter voltge : VCE [ V ] Gte chrge : Qg [ nc ] MS6M792 14/16 H4-4-3

15 Wrnings - This product shll be used within its bsolute mximum rting (voltge, current, nd temperture). This product my be broken in cse of using beyond the rtings. 製 品 の 絶 対 最 大 定 格 ( 電 圧, 電 流, 温 度 等 )の 範 囲 内 で 御 使 用 下 さい 絶 対 最 大 定 格 を 超 えて 使 用 すると 素 子 が 破 壊 する 場 合 があります - Connect dequte fuse or protector of circuit between three-phse line nd this product to prevent the equipment from cusing secondry destruction, such s fire, its spreding, or explosion. 万 一 の 不 慮 の 事 故 で 素 子 が 破 壊 した 場 合 を 考 慮 し 商 用 電 源 と 本 製 品 の 間 に 適 切 な 容 量 のヒューズ 又 はブレーカーを 必 ず 付 けて 火 災, 爆 発, 延 焼 等 の2 次 破 壊 を 防 いでください - Use this product fter relizing enough working on environment nd considering of product's relibility life. This product my be broken before trget life of the system in cse of using beyond the product's relibility life. 製 品 の 使 用 環 境 を 十 分 に 把 握 し 製 品 の 信 頼 性 寿 命 が 満 足 できるか 検 討 の 上 本 製 品 を 適 用 して 下 さい 製 品 の 信 頼 性 寿 命 を 超 えて 使 用 した 場 合 装 置 の 目 標 寿 命 より 前 に 素 子 が 破 壊 する 場 合 があります This mteril nd the informtion herein is the property of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. They shll be neither reproduced, copied,lent, or disclosed in ny wy whtsoever for the use of ny third prty nor used for the mnufcturing purposes without the express written consent of - When electric power is connected to equipments, rush current will be flown through rectifying diode to chrge DC cpcitor. Gurnteed vlue of the rush current is specified s I 2 t (non-repetitive), however frequent rush current through the diode might mke it's power cycle destruction occur becuse of the repetitive power. In ppliction which hs such frequent rush current, well considertion to product life time (i.e. suppressing the rush current) is necessry. 電 源 投 入 時 に 整 流 用 ダイオードには コンデンサーを 充 電 する 為 の 突 入 電 流 が 流 れます この 突 入 電 流 に 対 する 保 証 値 は I 2 t( 非 繰 返 し)として 表 記 されていますが この 突 入 電 流 が 頻 繁 に 流 れるとI 2 t 破 壊 とは 別 に 整 流 用 ダイオードの 繰 返 し 負 荷 に よるパワーサイクル 耐 量 破 壊 を 起 こす 可 能 性 があります 突 入 電 流 が 頻 繁 に 流 れるようなアプリケーションでは 突 入 電 流 値 を 抑 えるなど 製 品 寿 命 に 十 分 留 意 してご 使 用 下 さい - If the product hd been used in the environment with cid, orgnic mtter, nd corrosive gs ( hydrogen sulfide, sulfurous cid gs), the product's performnce nd ppernce cn not be ensured esily. 酸 有 機 物 腐 食 性 ガス( 硫 化 水 素, 亜 硫 酸 ガス 等 )を 含 む 環 境 下 で 使 用 された 場 合 製 品 機 能 外 観 等 の 保 証 はできません - Power cycle cpbility is clssified to delt-tj mode nd delt-tc mode. Delt-Tc mode is due to rise nd down of cse temperture (Tc), nd depends on cooling design of equipment which use this product. In ppliction which hs such frequent rise nd down of Tc, well considertion of product life time is necessry. パワーサイクル 耐 量 にはΔTjによる 場 合 の 他 に ΔTcによる 場 合 があります これはケース 温 度 (Tc)の 上 昇 下 降 による 熱 ストレスであり 本 製 品 をご 使 用 する 際 の 放 熱 設 計 に 依 存 します ケース 温 度 の 上 昇 下 降 が 頻 繁 に 起 こる 場 合 は 製 品 寿 命 に 十 分 留 意 してご 使 用 下 さい Plese refer to mounting instructions (Technicl Rep. No. : MTF14628) when you mount this product. 本 製 品 の 実 装 にあたってはMounting Instructions ( 技 術 資 料 No. MTF14628) を 参 照 してください - Never dd mechnicl stress to deform the min or control terminl. The deformed terminl my cuse poor contct problem. 主 端 子 及 び 制 御 端 子 に 応 力 を 与 えて 変 形 させないで 下 さい 端 子 の 変 形 により 接 触 不 良 などを 引 き 起 こす 場 合 があります - Use this product with keeping the cooling fin's fltness between screw holes within um t mm nd the roughness within um. Also keep the tightening torque within the limits of this specifiction. Too lrge convex of cooling fin my cuse isoltion brekdown nd this my led to criticl ccident. On the other hnd, too lrge concve of cooling fin mkes gp between this product nd the fin bigger, then, therml conductivity will be worse nd over het destruction my occur. 冷 却 フィンはネジ 取 り 付 け 位 置 間 で 平 坦 度 をmmでum 以 下 表 面 の 粗 さはum 以 下 にして 下 さい 過 大 な 凸 反 り があったりすると 本 製 品 が 絶 縁 破 壊 を 起 こし 重 大 事 故 に 発 展 する 場 合 があります また 過 大 な 凹 反 りやゆがみ 等 があると 本 製 品 と 冷 却 フインの 間 に 空 隙 が 生 じて 放 熱 が 悪 くなり 熱 破 壊 に 繋 がることがあります - In cse of mounting this product on cooling fin, use therml compound to secure therml conductivity. If the therml compound mount ws not enough or its pplying method ws not suitble, its spreding will not be enough, then, therml conductivity will be worse nd therml run wy destruction my occur. Confirm spreding stte of the therml compound when its pplying to this product. (Spreding stte of the therml compound cn be confirmed by removing this product fter mounting.) 素 子 を 冷 却 フィンに 取 り 付 ける 際 には 熱 伝 導 を 確 保 するためのコンパウンド 等 をご 使 用 ください 又 塗 布 量 が 不 足 したり 塗 布 方 法 が 不 適 だったりすると コンパウンドが 十 分 に 素 子 全 体 に 広 がらず 放 熱 悪 化 による 熱 破 壊 に 繋 がる 事 があります コンパウンドを 塗 布 する 際 には 製 品 全 面 にコンパウンドが 広 がっている 事 を 確 認 してください ( 実 装 した 後 に 素 子 を 取 りはずすとコンパウンドの 広 がり 具 合 を 確 認 する 事 が 出 来 ます ) - It shll be confirmed tht IGBT's operting locus of the turn-off voltge nd current re within the RBSOA specifiction. This product my be broken if the locus is out of the RBSOA. ターンオフ 電 圧 電 流 の 動 作 軌 跡 がRBSOA 仕 様 内 にあることを 確 認 して 下 さい RBSOAの 範 囲 を 超 えて 使 用 すると 素 子 が 破 壊 する 可 能 性 があります MS6M792 1/16 H4-4-3

16 - If excessive sttic electricity is pplied to the control terminls, the devices my be broken. Implement some countermesures ginst sttic electricity. 制 御 端 子 に 過 大 な 静 電 気 が 印 加 された 場 合 素 子 が 破 壊 する 場 合 があります 取 り 扱 い 時 は 静 電 気 対 策 を 実 施 して 下 さい - Never dd the excessive mechnicl stress to the min or control terminls when the product is pplied to equipments. The module structure my be broken. 素 子 を 装 置 に 実 装 する 際 に 主 端 子 や 制 御 端 子 に 過 大 な 応 力 を 与 えないで 下 さい 端 子 構 造 が 破 壊 する 可 能 性 があります - In cse of insufficient -VGE, erroneous turn-on of IGBT my occur. -VGE shll be set enough vlue to prevent this mlfunction. (Recommended vlue : -VGE = -1V) 逆 バイアスゲート 電 圧 -VGEが 不 足 しますと 誤 点 弧 を 起 こす 可 能 性 があります 誤 点 弧 を 起 こさない 為 に-VGEは 十 分 な 値 で 設 定 して 下 さい ( 推 奨 値 : -VGE = -1V) - In cse of higher turn-on dv/dt of IGBT, erroneous turn-on of opposite rm IGBT my occur. Use this product in the most suitble drive conditions, such s +VGE, -VGE, RG to prevent the mlfunction. ターンオン dv/dt が 高 いと 対 抗 アームのIGBTが 誤 点 弧 を 起 こす 可 能 性 があります 誤 点 弧 を 起 こさない 為 の 最 適 なドライブ 条 件 (+VGE, -VGE, RG 等 )でご 使 用 下 さい - This product my be broken by vlnche in cse of VCE beyond mximum rting VCES is pplied between C-E terminls. Use this product within its bsolute mximum voltge. VCESを 超 えた 電 圧 が 印 加 された 場 合 アバランシェを 起 こして 素 子 破 壊 する 場 合 があります VCEは 必 ず 絶 対 定 格 の 範 囲 内 でご 使 用 下 さい This mteril nd the informtion herein is the property of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. They shll be neither reproduced, copied,lent, or disclosed in ny wy whtsoever for the use of ny third prty nor used for the mnufcturing purposes without the express written consent of - Control the surge voltge by dding protection circuit (=snubber circuit) to the IGBT. Use film cpcitor in the snubber circuit, nd then set it ner the IGBT in order to bipss high frequency surge currents. IGBTに 保 護 回 路 (=スナバ 回 路 )を 付 けてサージ 電 圧 を 吸 収 させてください スナバ 回 路 のコンデンサにはフィルムコンデンサ を 用 い IGBTの 近 くに 配 置 して 高 周 波 サージ 電 圧 を 吸 収 する 手 段 を 講 じてください Cutions - Fuji Electric Device Technology is constntly mking every endevor to improve the product qulity nd relibility. However, semiconductor products my rrely hppen to fil or mlfunction. To prevent ccidents cusing injury or deth, dmge to property like by fire, nd other socil dmge resulted from filure or mlfunction of the Fuji Electric Device Technology semiconductor products, tke some mesures to keep sfety such s redundnt design, spred-fire-preventive design, nd mlfunction-protective design. 富 士 電 機 デバイステクノロジーは 絶 えず 製 品 の 品 質 と 信 頼 性 の 向 上 に 努 めています しかし 半 導 体 製 品 は 故 障 が 発 生 したり 誤 動 作 する 場 合 があります 富 士 電 機 デバイステクノロジー 製 半 導 体 製 品 の 故 障 または 誤 動 作 が 結 果 として 人 身 事 故 火 災 等 による 財 産 に 対 する 損 害 や 社 会 的 な 損 害 を 起 こさないように 冗 長 設 計 延 焼 防 止 設 計 誤 動 作 防 止 設 計 など 安 全 確 保 のための 手 段 を 講 じて 下 さい - The ppliction exmples described in this specifiction only explin typicl ones tht used the Fuji Electric Device Technology products. This specifiction never ensure to enforce the industril property nd other rights, nor license the enforcement rights. 本 仕 様 書 に 記 載 してある 応 用 例 は 富 士 電 機 デバイステクノロジー 製 品 を 使 用 した 代 表 的 な 応 用 例 を 説 明 するものであり 本 仕 様 書 によって 工 業 所 有 権 その 他 権 利 の 実 施 に 対 する 保 障 または 実 施 権 の 許 諾 を 行 うものではありません - The product described in this specifiction is not designed nor mde for being pplied to the equipment or systems used under life-thretening situtions. When you consider pplying the product of this specifiction to prticulr used, such s vehicle-mounted units, shipbord equipment, erospce equipment, medicl devices, tomic control systems nd submrine relying equipment or systems, plese pply fter confirmtion of this product to be stisfied bout system construction nd required relibility. 本 仕 様 書 に 記 載 された 製 品 は 人 命 にかかわるような 状 況 下 で 使 用 される 機 器 あるいはシステムに 用 いられることを 目 的 として 設 計 製 造 されたものではありません 本 仕 様 書 の 製 品 を 車 両 機 器 船 舶 航 空 宇 宙 医 療 機 器 原 子 力 制 御 海 底 中 継 機 器 あるいはシステムなど 特 殊 用 途 へのご 利 用 をご 検 討 の 際 は システム 構 成 及 び 要 求 品 質 に 満 足 することをご 確 認 の 上 ご 利 用 下 さい If there is ny uncler mtter in this specifiction, plese contct MS6M792 16/16 H4-4-3