SPECIFICATION. Not recommend for new design. MS6M Power Integrated Module 7MBR15UF060 MS6M Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.
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- Britney Davis
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1 SPECIFICATION Device Name : Power Integrated Module Type Name : Spec. No. : 7MBR15UF6 MS6M814 D R A W N CHECKED CHECKED D A T E N A M E A P P R O V E D Dec.-- '4 Dec.-- '4 K. Komatsu O. Ikawa K. Yamada Y. Seki MS6M814 1/16 H4-4-7b
2 Revised Records Date Classification Ind. Content Applied date Drawn Checked Checked Approved Enactment Issued Dec.--'4 O. Ikawa K. Yamada Y. Seki date MS6M814 2/16 H4-4-3a H4-4-6b
3 7MBR15UF6 Specification 1. Outline Drawing ( Unit : mm ) 2. Equivalent circuit Module only designed for mounting on PCB with 1.7±.3mm thickness MS6M814 3/16 H4-4-3a
4 3. Pin positions with tolerance ( Unit : mm ) 4. Drilling layout for PCB Please refer to mounting instructions (Technical Rep. No. : MT5F14628a) when you mount this product. MS6M814 4/16 H4-4-3a
5 5. Absolute Maximum Ratings ( at Tc= 25 o C unless otherwise specified) Inverter Converter Brake Items Symbols Conditions Maximum Ratings Units Collector-Emitter voltage VCES 6 V Gate-Emitter voltage VGES ±2 V Ic Continuous Tc=6 15 Tc=25 o C 18 Collector current Icp 1ms Tc=6 3 Tc=25 o C 36 -Ic Continuous Tc=6 15 A Collector Power Dissipation Pc 1 device 63 W Collector-Emitter voltage VCES 6 V Gate-Emitter voltage VGES ±2 V Ic Continuous Tc=8 Tc=25 o C 14 Collector current Icp 1ms Tc=8 2 Tc=25 o C 28 Collector Power Dissipation Pc 1 device 56 W Average Output Current Io 5Hz/6Hz sine wave 2 A Surge Current (Non-Repetitive) IFSM Tj=15 o C,ms 2 A I 2 t (Non-Repetitive) I 2 t half sine wave 221 A 2 s Junction temperature Tj 15 o C Storage temperature Tstg -4~ +125 o C Isolation between terminal and baseplate (*1) Viso AC : 1min. 25 V voltage between thermistor and others (*2) 25 V Mounting Screw Torque M4 1.3~1.7 N.m (*1) All terminals should be connected together when isolation test will be done. (*2) Terminal T1 and T2 should be connected together. And another terminals should be connected together and shorted to baseplate. A A A A MS6M814 5/16 H4-4-3a
6 6. Electrical characteristics ( at Tj= 25 o C unless otherwise specified) Characteristics Items Symbols Conditions min. typ. Max. Units Zero gate voltage Collector current ICES VGE = V, VCE = 6 V ma Inverter Thermistor Converter Brake Gate-Emitter leakage current IGES VCE = V, VGE =±2 V na Gate-Emitter threshold voltage VGE(th) VCE = 2 V, Ic = 8 ma V VCE(sat) Tj= Collector-Emitter (Terminal) VGE = 15 V Tj= saturation voltage VCE(sat) Ic = 15 A Tj= (Chip) Tj= Input capacitance Cies VGE = V, VCE = V f = 1 MHz Turn-on time ton Vcc= 3 V tr Ic = 15 A tr (i) VGE = ±15 V s Turn-off time toff RG = tf Forward on voltage VF Tj= (Terminal) Tj= IF = 15A VF Tj= (Chip) Tj= Reverse recovery time trr IF = 15 A ns Zero gate voltage Collector current ICES VGE = V, VCE = 6 V ma Gate-Emitter leakage current IGES VCE = V, VGE =±2 V na Gate-Emitter threshold voltage VGE(th) VCE = 2 V, Ic = 4 ma V Collector-Emitter VCE(sat) Tj= (Terminal) VGE = 15 V Tj= VCE(sat) Ic = A Tj= saturation voltage (Chip) Tj= Input capacitance Cies VGE = V, VCE = V f = 1 MHz Turn-on time ton Vcc= 3 V tr Ic = A s Turn-off time toff VGE = ±15 V tf RG = Reverse recovery time trr IF = A ns Reverse current IRRM VR = 6 V ma Forward on voltage VFM chip IF = 2A terminal Reverse current IRRM VR = 8 V ma Resistance R T = 25 o C T = o C B value B T = 25/5 o C K V pf V V pf V Ω MS6M814 6/16 H4-4-3a
7 7. Thermal resistance characteristics Characteristics Items Symbols Conditions min. typ. Max. Units Inverter IGBT Thermal resistance Inverter FWD (1 device) Rth(j-c) Brake IGBT o C/W Brake diode Converter Diode Contact Thermal resistance Rth(c-f) with Thermal Compound (*) o C/W * This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound. 8. Indication on module Serial No. 7MBR15UF6 15A 6V U. K. Lot. No. 9. Applicable category This specification is applied to Power Integrated Module named 7MBR15UF6.. Storage and transportation notes The module should be stored at a standard temperature of 5 to 35 o C and humidity of 45 to 75%. Store modules in a place with few temperature changes in order to avoid condensation on the module surface. Avoid exposure to corrosive gases and dust. Avoid excessive external force on the module. Store modules with unprocessed terminals. Do not drop or otherwise shock the modules when transporting. 11. Definitions of switching time L V VGE trr ~ 9% V Vcc VCE 9% I rr ~ Ic 9% RG VGE VCE V A Ic % tr(i) % VCE % ~ tf Ic tr ton toff 12. Packing and Labeling Display on the packing box Logo of production Type name Lot. No. Products quantitiy in a packing box MS6M814 7/16 H4-4-3a
8 Reliability Test Items Mechanical Tests Environment Tests Test items Test methods and conditions Reference norms EIAJ ED-471 (Aug.-21 edition) Test categories Acceptance Number of sample number 1 Terminal Strength Pull force : N Test Method 41 5 ( : 1 ) (Pull test) Test time : ±1 sec. MethodⅠ 2 Mounting Strength Screw torque : 1.3 ~ 1.7 N m (M4) Test Method 42 5 ( : 1 ) Test time : ±1 sec. methodⅡ 3 Vibration Range of frequency :.1 ~ 5Hz Test Method 43 5 ( : 1 ) Sweeping time : 15 min. Reference 1 Acceleration : m/s 2 Condition code B Sweeping direction : Each X,Y,Z axis Test time : 3 hr. (1hr./direction) 4 Shock Maximum acceleration : 98m/s 2 Test Method 44 5 ( : 1 ) Pulse width :.5msec. Condition code D Direction : Each X,Y,Z axis Test time : 3 times/direction 1 High Temperature Storage temp. : 125±5 Test Method 21 5 ( : 1 ) Storage Test duration : hr. 2 Low Temperature Storage temp. : -4±5 Test Method 22 5 ( : 1 ) Storage Test duration : hr. 3 Temperature Storage temp. : 85±2 Test Method 3 5 ( : 1 ) Humidity Relative humidity : 85±5% Test code C Storage Test duration : hr. 4 Temperature Test Method 5 5 ( : 1 ) Cycle Test temp. : Low temp. -4±5 High temp. 125 ±5 RT 5 ~ 35 Dwell time : High ~ RT ~ Low ~ RT 1hr..5hr. 1hr..5hr. Number of cycles : cycles 5 Thermal Shock + Test Method 37 5 ( : 1 ) Test temp. : High temp. -5 method Ⅰ Low temp. - Used liquid : Water with ice and boiling water Dipping time : 5 min. par each temp. Transfer time : sec. Number of cycles : cycles +5 Condition code A MS6M814 8/16 H4-4-3a
9 Reliability Test Items Endurance Tests Test items Test methods and conditions Failure Criteria Item Characteristic Symbol Failure criteria Unit Note Lower limit Upper limit Electrical Leakage current ICES - USL 2 ma characteristic ±IGES - USL 2 A Gate threshold voltage VGE(th) LSL.8 USL 1.2 ma Saturation voltage VCE(sat) - USL 1.2 V Forward voltage VF - USL 1.2 V Thermal IGBT VGE - USL 1.2 mv resistance or VCE FWD VF - USL 1.2 mv Isolation voltage Viso Broken insulation - Visual Visual inspection inspection Peeling - The visual sample - Plating and the others Reference norms EIAJ ED-471 (Aug.-21 edition) LSL : Lower specified limit. USL : Upper specified limit. Test categories Acceptance Number of sample number 1 High temperature Test Method 1 5 ( : 1 ) Reverse Bias Test temp. : Ta = 125±5 (Tj 15 ) Bias Voltage : VC =.8 VCES Bias Method : Applied DC voltage to C-E VGE = V Test duration : hr. 2 High temperature Test Method 1 5 ( : 1 ) Bias (for gate) Test temp. : Ta = 125±5 (Tj 15 ) Bias Voltage : VC = VGE = +2V or -2V Bias Method : Applied DC voltage to G-E VCE = V Test duration : hr. 3 Intermitted ON time : 2 sec. Test Method 6 5 P<1% Operating Life OFF time : 18 sec. (Power cycle) Test temp. : Tj=±5 deg ( for IGBT ) Tj 15, Ta=25±5 Number of cycles : 85 cycles Note : Each parameter measurement read-outs shall be made after stabilizing the components at room ambient for 2 hours minimum, 24 hours maximum after removal from the tests. And in case of the wetting tests, for example, moisture resistance tests, each component shall be made wipe or dry completely before the measurement. MS6M814 9/16 H4-4-3a
10 Reliability Test Results Test categories Test items Reference norms EIAJ ED-471 (Aug.-21 edition) Number of test sample Number of failure sample Mechanical Tests Environment Tests Endurance Tests 1 Terminal Strength Test Method 41 5 (Pull test) MethodⅠ 2 Mounting Strength Test Method 42 5 methodⅡ 3 Vibration Test Method 43 5 Condition code B 4 Shock Test Method 44 5 Condition code B 1 High Temperature Storage Test Method Low Temperature Storage Test Method Temperature Humidity Test Method 3 5 Storage Test code C 4 Temperature Cycle Test Method Thermal Shock Test Method 37 5 method Ⅰ Condition code A 1 High temperature Reverse Bias Test Method High temperature Bias Test Method 1 5 ( for gate ) 3 Intermitted Operating Life Test Method 6 5 (Power cycling) ( for IGBT ) MS6M814 /16 H4-4-3a
11 Collector current vs. Collector-Emitter voltage Tj= 25 o C (typ.) / chip Collector current vs. Collector-Emitter voltage Tj= 125 o C (typ.) / chip VGE=2V 15V 13V 11V 9V 3 2 VGE=2V 15V 13V 11V 9V Collector current vs. Collector-Emitter voltage VGE=15V (typ.) / chip Tj=25 o C Tj=125 o C Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.) VGE=V, f= 1MHz, Tj= 25 o C Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage Tj= 25 o C (typ.) / chip Gate - Emitter voltage : VGE [ V ] Dynamic Gate charge (typ.) Vcc=3V, Ic=8A, Tj= 25 o C Ic=3A 15A 7.5A 25 Capacitance : Cies, Coes, Cres [ pf ] Cies Coes Gate - Emitter voltage : VGE [ V ] Cres Gate charge : Qg [ nc ] MS6M814 11/16 H4-4-3a
12 Switching time vs. Collector current (typ.) Vcc=3V, VGE=+-15V, Rg=27, Tj= 25 o C Switching time vs. Collector current (typ.) Vcc=3V, VGE=+-15V, Rg=27, Tj= 125 o C ton ton tr tr Switching time : ton, tr, toff, tf [ nsec ] toff tf Switching time : ton, tr, toff, tf [ nsec ] toff tf Switching time : ton, tr, toff, tf [ nsec ] Switching time vs. Gate resistance (typ.) Vcc=3V, Ic=15A, VGE=+-15V, Tj= 25 o C 1.2 Gate resistance : Rg [ ] Switching loss vs. Gate resistance (typ.) Vcc=3V, Ic=15A, VGE=+-15V, Tj= 125 o C toff ton tr tf Switching loss : Eon, Eoff, Err [ mj / pulse ] Switching loss vs. Collector current (typ.) Vcc=3V, VGE=+-15V, Rg=27 Err 125 Err Reverse bias safe operating area Eon 125 Eon 25 Eoff 125 Eoff 25 +VGE=15V, -VGE<=15V, Rg=>27, Tj<=125 o C Eon Switching loss : Eon, Eoff, Err [ mj / pulse ] Eoff Err.2 Gate resistance : Rg [ ] MS6M814 12/16 H4-4-3a
![15 2 25 3 35 5 15 2 25 3 35 Switching time : ton, tr, toff, tf [ nsec ] Switching time vs. Gate resistance (typ.) Vcc=3V, Ic=15A, VGE=+-15V, Tj= 25 o C 1.2 Gate resistance : Rg [ ] Switching loss vs.](/docs-images/43/14724730/images/page_12.jpg "Gate resistance (typ.) Vcc=3V, Ic=15A, VGE=+-15V, Tj= 125 o C toff ton tr tf Switching loss : Eon, Eoff, Err [ mj / pulse ] 4 3 2 1 Switching loss vs. Collector current (typ.")
13 Forward current vs. Forward on voltage (typ.) chip Reverse recovery characteristics (typ.) Vcc=3V, VGE=+-15V, Rg=27 4 Forward current : IF [ A ] 3 2 Tj=125 o C Tj=25 o C Reverse recovery current : Irr [ A ] Reverse recovery time : trr [ nsec ] trr 125 trr 25 Irr 25 Irr Forward on voltage : VF [ V ] Forward current : IF [ A ] Forward current : IF [ A ] [ Converter ] Forward current vs. Forward on voltage (typ.) / chip Tj=25 o C Forward on voltage : VFM [ V ] Tj=125 o C Thermal resistance (max.) [ Thermistor ] Temperature characteristic (typ.) Thermal resistanse : Rth(j-c) [ o C / W ] 1 IGBT [Brake] FWD [inverter,brake] IGBT [inverter] CONV.Diode Resistance : R [ ] Pulse width : Pw [ sec ] Temperature [ o C ] MS6M814 13/16 H4-4-3a
![Forward on voltage : VF [ V ] 5 15 2 25 3 35 Forward current : IF [ A ] Forward current : IF [ A ] 5 4 3 2.4.8 1.2 1.6 2 [ Converter ] Forward current vs. Forward on voltage (typ.](/docs-images/43/14724730/images/page_13.jpg ") / chip Tj=25 o C Forward on voltage : VFM [ V ] Tj=125 o C Thermal resistance (max.) [ Thermistor ] Temperature characteristic (typ.")
14 [ Brake] Collector current vs. Collector-Emitter voltage Tj= 25 o C(typ.) / chip [ Brake ] Collector current vs. Collector-Emitter voltage Tj= 125 o C(typ.) / chip VGE=2V 15V 13V 11V 2 15 VGE=2V 15V 13V 11V 5 9V 5 9V [ Brake ] Collector current vs. Collector-Emitter voltage VGE=15V (typ.) / chip Tj=25 o C Tj=125 o C [ Brake ] Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.) VGE=V, f= 1MHz, Tj= 25 o C [ Brake ] Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage Tj= 25 o C (typ.) / chip Gate - Emitter voltage : VGE [ V ] [ Brake ] Dynamic Gate charge (typ.) Vcc=3V, Ic=4A, Tj= 25 o C Ic=2A A 5A 25 Capacitance : Cies, Coes, Cres [ nf ] Cies Coes Cres Gate - Emitter voltage : VGE [ V ] Gate charge : Qg [ nc ] MS6M814 14/16 H4-4-3a
![) / chip Tj=25 o C 1 2 3 4 5 6 Tj=125 o C [ Brake ] Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.) VGE=V, f= 1MHz, Tj= 25 o C 8 6 4 2 [ Brake ] Collector-Emitter voltage vs.](/docs-images/43/14724730/images/page_14.jpg "Gate-Emitter voltage Tj= 25 o C (typ.) / chip 5 15 2 25 5 Gate - Emitter voltage : VGE [ V ] [ Brake ] Dynamic Gate charge (typ.")
15 Warnings - This product shall be used within its absolute maximum rating (voltage, current, and temperature). This product may be broken in case of using beyond the ratings. 製 品 の 絶 対 最 大 定 格 ( 電 圧, 電 流, 温 度 等 )の 範 囲 内 で 御 使 用 下 さい 絶 対 最 大 定 格 を 超 えて 使 用 すると 素 子 が 破 壊 する 場 合 があります - Connect adequate fuse or protector of circuit between three-phase line and this product to prevent the equipment from causing secondary destruction, such as fire, its spreading, or explosion. 万 一 の 不 慮 の 事 故 で 素 子 が 破 壊 した 場 合 を 考 慮 し 商 用 電 源 と 本 製 品 の 間 に 適 切 な 容 量 のヒューズ 又 はブレーカーを 必 ず 付 けて 火 災, 爆 発, 延 焼 等 の2 次 破 壊 を 防 いでください - Use this product after realizing enough working on environment and considering of product's reliability life. This product may be broken before target life of the system in case of using beyond the product's reliability life. 製 品 の 使 用 環 境 を 十 分 に 把 握 し 製 品 の 信 頼 性 寿 命 が 満 足 できるか 検 討 の 上 本 製 品 を 適 用 して 下 さい 製 品 の 信 頼 性 寿 命 を 超 えて 使 用 した 場 合 装 置 の 目 標 寿 命 より 前 に 素 子 が 破 壊 する 場 合 があります - When electric power is connected to equipments, rush current will be flown through rectifying diode to charge DC capacitor. Guaranteed value of the rush current is specified as I 2 t (non-repetitive), however frequent rush current through the diode might make it's power cycle destruction occur because of the repetitive power. In application which has such frequent rush current, well consideration to product life time (i.e. suppressing the rush current) is necessary. 電 源 投 入 時 に 整 流 用 ダイオードには コンデンサーを 充 電 する 為 の 突 入 電 流 が 流 れます この 突 入 電 流 に 対 する 保 証 値 は I 2 t( 非 繰 返 し)として 表 記 されていますが この 突 入 電 流 が 頻 繁 に 流 れるとI 2 t 破 壊 とは 別 に 整 流 用 ダイオードの 繰 返 し 負 荷 に よるパワーサイクル 耐 量 破 壊 を 起 こす 可 能 性 があります 突 入 電 流 が 頻 繁 に 流 れるようなアプリケーションでは 突 入 電 流 値 を 抑 えるなど 製 品 寿 命 に 十 分 留 意 してご 使 用 下 さい - If the product had been used in the environment with acid, organic matter, and corrosive gas ( hydrogen sulfide, sulfurous acid gas), the product's performance and appearance can not be ensured easily. 酸 有 機 物 腐 食 性 ガス( 硫 化 水 素, 亜 硫 酸 ガス 等 )を 含 む 環 境 下 で 使 用 された 場 合 製 品 機 能 外 観 等 の 保 証 はできません - Power cycle capability is classified to delta-tj mode and delta-tc mode. Delta-Tc mode is due to rise and down of case temperature (Tc), and depends on cooling design of equipment which use this product. In application which has such frequent rise and down of Tc, well consideration of product life time is necessary. パワーサイクル 耐 量 にはΔTjによる 場 合 の 他 に ΔTcによる 場 合 があります これはケース 温 度 (Tc)の 上 昇 下 降 による 熱 ストレスであり 本 製 品 をご 使 用 する 際 の 放 熱 設 計 に 依 存 します ケース 温 度 の 上 昇 下 降 が 頻 繁 に 起 こる 場 合 は 製 品 寿 命 に 十 分 留 意 してご 使 用 下 さい Please refer to mounting instructions (Technical Rep. No. : MT5F14628a) when you mount this product. 本 製 品 の 実 装 にあたってはMounting Instructions ( 技 術 資 料 No. MT5F14628a) を 参 照 してください - Never add mechanical stress to deform the main or control terminal. The deformed terminal may cause poor contact problem. 主 端 子 及 び 制 御 端 子 に 応 力 を 与 えて 変 形 させないで 下 さい 端 子 の 変 形 により 接 触 不 良 などを 引 き 起 こす 場 合 があります - Use this product with keeping the cooling fin's flatness between screw holes within 5um at mm and the roughness within um. Also keep the tightening torque within the limits of this specification. Too large convex of cooling fin may cause isolation breakdown and this may lead to a critical accident. On the other hand, too large concave of cooling fin makes gap between this product and the fin bigger, then, thermal conductivity will be worse and over heat destruction may occur. 冷 却 フィンはネジ 取 り 付 け 位 置 間 で 平 坦 度 をmmで5um 以 下 表 面 の 粗 さはum 以 下 にして 下 さい 過 大 な 凸 反 り があったりすると 本 製 品 が 絶 縁 破 壊 を 起 こし 重 大 事 故 に 発 展 する 場 合 があります また 過 大 な 凹 反 りやゆがみ 等 があると 本 製 品 と 冷 却 フインの 間 に 空 隙 が 生 じて 放 熱 が 悪 くなり 熱 破 壊 に 繋 がることがあります - In case of mounting this product on cooling fin, use thermal compound to secure thermal conductivity. If the thermal compound amount was not enough or its applying method was not suitable, its spreading will not be enough, then, thermal conductivity will be worse and thermal run away destruction may occur. Confirm spreading state of the thermal compound when its applying to this product. (Spreading state of the thermal compound can be confirmed by removing this product after mounting.) 素 子 を 冷 却 フィンに 取 り 付 ける 際 には 熱 伝 導 を 確 保 するためのコンパウンド 等 をご 使 用 ください 又 塗 布 量 が 不 足 したり 塗 布 方 法 が 不 適 だったりすると コンパウンドが 十 分 に 素 子 全 体 に 広 がらず 放 熱 悪 化 による 熱 破 壊 に 繋 がる 事 があります コンパウンドを 塗 布 する 際 には 製 品 全 面 にコンパウンドが 広 がっている 事 を 確 認 してください ( 実 装 した 後 に 素 子 を 取 りはずすとコンパウンドの 広 がり 具 合 を 確 認 する 事 が 出 来 ます ) - It shall be confirmed that IGBT's operating locus of the turn-off voltage and current are within the RBSOA specification. This product may be broken if the locus is out of the RBSOA. ターンオフ 電 圧 電 流 の 動 作 軌 跡 がRBSOA 仕 様 内 にあることを 確 認 して 下 さい RBSOAの 範 囲 を 超 えて 使 用 すると 素 子 が 破 壊 する 可 能 性 があります MS6M814 15/16 H4-4-3a
16 - If excessive static electricity is applied to the control terminals, the devices may be broken. Implement some countermeasures against static electricity. 制 御 端 子 に 過 大 な 静 電 気 が 印 加 された 場 合 素 子 が 破 壊 する 場 合 があります 取 り 扱 い 時 は 静 電 気 対 策 を 実 施 して 下 さい - Never add the excessive mechanical stress to the main or control terminals when the product is applied to equipments. The module structure may be broken. 素 子 を 装 置 に 実 装 する 際 に 主 端 子 や 制 御 端 子 に 過 大 な 応 力 を 与 えないで 下 さい 端 子 構 造 が 破 壊 する 可 能 性 があります - In case of insufficient -VGE, erroneous turn-on of IGBT may occur. -VGE shall be set enough value to prevent this malfunction. (Recommended value : -VGE = -15V) 逆 バイアスゲート 電 圧 -VGEが 不 足 しますと 誤 点 弧 を 起 こす 可 能 性 があります 誤 点 弧 を 起 こさない 為 に-VGEは 十 分 な 値 で 設 定 して 下 さい ( 推 奨 値 : -VGE = -15V) - In case of higher turn-on dv/dt of IGBT, erroneous turn-on of opposite arm IGBT may occur. Use this product in the most suitable drive conditions, such as +VGE, -VGE, RG to prevent the malfunction. ターンオン dv/dt が 高 いと 対 抗 アームのIGBTが 誤 点 弧 を 起 こす 可 能 性 があります 誤 点 弧 を 起 こさない 為 の 最 適 なドライブ 条 件 (+VGE, -VGE, RG 等 )でご 使 用 下 さい - This product may be broken by avalanche in case of VCE beyond maximum rating VCES is applied between C-E terminals. Use this product within its absolute maximum voltage. VCESを 超 えた 電 圧 が 印 加 された 場 合 アバランシェを 起 こして 素 子 破 壊 する 場 合 があります VCEは 必 ず 絶 対 定 格 の 範 囲 内 でご 使 用 下 さい - Control the surge voltage by adding a protection circuit (=snubber circuit) to the IGBT. Use a film capacitor in the snubber circuit, and then set it near the IGBT in order to bipass high frequency surge currents. IGBTに 保 護 回 路 (=スナバ 回 路 )を 付 けてサージ 電 圧 を 吸 収 させてください スナバ 回 路 のコンデンサにはフィルムコンデンサ を 用 い IGBTの 近 くに 配 置 して 高 周 波 サージ 電 圧 を 吸 収 する 手 段 を 講 じてください Cautions - Fuji Electric Device Technology is constantly making every endeavor to improve the product quality and reliability. However, semiconductor products may rarely happen to fail or malfunction. To prevent accidents causing injury or death, damage to property like by fire, and other social damage resulted from a failure or malfunction of the Fuji Electric Device Technology semiconductor products, take some measures to keep safety such as redundant design, spread-fire-preventive design, and malfunction-protective design. 富 士 電 機 デバイステクノロジーは 絶 えず 製 品 の 品 質 と 信 頼 性 の 向 上 に 努 めています しかし 半 導 体 製 品 は 故 障 が 発 生 したり 誤 動 作 する 場 合 があります 富 士 電 機 デバイステクノロジー 製 半 導 体 製 品 の 故 障 または 誤 動 作 が 結 果 として 人 身 事 故 火 災 等 による 財 産 に 対 する 損 害 や 社 会 的 な 損 害 を 起 こさないように 冗 長 設 計 延 焼 防 止 設 計 誤 動 作 防 止 設 計 など 安 全 確 保 のための 手 段 を 講 じて 下 さい - The application examples described in this specification only explain typical ones that used the Fuji Electric Device Technology products. This specification never ensure to enforce the industrial property and other rights, nor license the enforcement rights. 本 仕 様 書 に 記 載 してある 応 用 例 は 富 士 電 機 デバイステクノロジー 製 品 を 使 用 した 代 表 的 な 応 用 例 を 説 明 するものであり 本 仕 様 書 によって 工 業 所 有 権 その 他 権 利 の 実 施 に 対 する 保 障 または 実 施 権 の 許 諾 を 行 うものではありません - The product described in this specification is not designed nor made for being applied to the equipment or systems used under life-threatening situations. When you consider applying the product of this specification to particular used, such as vehicle-mounted units, shipboard equipment, aerospace equipment, medical devices, atomic control systems and submarine relaying equipment or systems, please apply after confirmation of this product to be satisfied about system construction and required reliability. 本 仕 様 書 に 記 載 された 製 品 は 人 命 にかかわるような 状 況 下 で 使 用 される 機 器 あるいはシステムに 用 いられることを 目 的 として 設 計 製 造 されたものではありません 本 仕 様 書 の 製 品 を 車 両 機 器 船 舶 航 空 宇 宙 医 療 機 器 原 子 力 制 御 海 底 中 継 機 器 あるいはシステムなど 特 殊 用 途 へのご 利 用 をご 検 討 の 際 は システム 構 成 及 び 要 求 品 質 に 満 足 することをご 確 認 の 上 ご 利 用 下 さい If there is any unclear matter in this specification, please contact MS6M814 16/16 H4-4-3a
Chapter 2. Technical Terms and Characteristics
Chapter 2 Technical Terms and Characteristics CONTENTS Page 1 IGBT terms 2-2 2 IGBT characteristics 2-5 This section explains relevant technical terms and characteristics of IGBT modules. 2-1 1 IGBT terms
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